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Si3443CDV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
10
0.15
I D = 4.7 A
0.12
1
0.09
0.1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
T A = 125 °C
0.06
0.01
0.001
0.03
0.00
T A = 25 °C
0.0
0.2 0.4 0.6 0. 8
1.0
0
1
2
3
4
5
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μ A
50
40
30
20
10
0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited b y R DS(on) *
10
10 ms
100 ms
www.vishay.com
4
1
0.1
0.01
0.001
0.1
* V GS
1s
10 s
DC
T A = 25 °C
Single P u lse
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area
Document Number: 74495
S12-0335-Rev. C, 13-Feb-12
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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